Wanneer de LED werkt, kunnen de volgende omstandigheden ervoor zorgen dat de junctietemperatuur in verschillende mate stijgt.

1. Het is bewezen dat de beperking van de lichtopbrengst de belangrijkste reden is voor de opkomst vanLED-verbindingtemperatuur. Momenteel kunnen geavanceerde materiaalgroei- en productieprocessen voor componenten het grootste deel van de toegevoerde elektrische energie omzettenLED in lichtstralingsenergie. Omdat LED-chipmaterialen echter veel grotere brekingscoëfficiënten hebben dan omringende media, kan een groot deel van de fotonen (>90%) die in de chip worden gegenereerd, niet soepel over de interface heen stromen, en wordt er totale reflectie gegenereerd tussen de chip en de media-interface. keert terug naar de binnenkant van de chip en wordt uiteindelijk geabsorbeerd door het chipmateriaal of substraat via meerdere interne reflecties, en wordt heet in de vorm van roostervibratie, waardoor de junctietemperatuur stijgt.

2. Omdat de PN-overgang niet extreem perfect kan zijn, zal de injectie-efficiëntie van het element niet 100% bereiken, dat wil zeggen dat naast de lading (gat) die in het N-gebied in het P-gebied wordt geïnjecteerd, het N-gebied ook zal injecteren lading (elektron) in het P-gebied wanneer de LED werkt. Over het algemeen zal het laatste type ladingsinjectie geen opto-elektrisch effect veroorzaken, maar zal het worden verbruikt in de vorm van verwarming. Zelfs als het bruikbare deel van de geïnjecteerde lading niet allemaal licht wordt, zal een deel ervan uiteindelijk warmte worden als het wordt gecombineerd met onzuiverheden of defecten in het verbindingsgebied.

3. De slechte elektrodestructuur van het element, de materialen van het vensterlaagsubstraat of het verbindingsgebied en de geleidende zilverlijm hebben allemaal bepaalde weerstandswaarden. Deze weerstanden worden tegen elkaar gestapeld om de serieweerstand van de te vormenLED-element. Wanneer de stroom door de PN-overgang vloeit, zal deze ook door deze weerstanden stromen, wat resulteert in Joule-warmte, wat zal leiden tot een stijging van de chiptemperatuur of de junctietemperatuur.